वेव स्प्रिंग असेंबलियों में 'हिस्टैरिसीस' की घटना की व्याख्या करें और इसे कैसे कम करें।

तरंग स्प्रिंग्स में हिस्टैरिसीस संपीड़न स्ट्रोक और रिटर्न स्ट्रोक के बीच दी गई ऊंचाई पर भार में अंतर है। यह मुख्य रूप से स्प्रिंग और पायलटिंग सतह (बोर या शाफ्ट) के बीच घर्षण और आंतरिक आणविक घर्षण के कारण होता है। मल्टी-टर्न क्रेस्ट-टू-क्रेस्ट स्प्रिंग में, तरंगों के बीच संपर्क बिंदुओं पर भी घर्षण होता है। सटीक सेंसर या नियंत्रण वाल्व के लिए हिस्टैरिसीस को कम करने के लिए, हम ड्राई-फिल्म स्नेहक (जैसे $MoS_2$) का उपयोग करते हैं, संभोग घटकों ($Ra < 32 \mu in$) पर उच्च गुणवत्ता वाली सतह खत्म सुनिश्चित करते हैं, और रेडियल विस्तार बल को कम करने के लिए तरंगों की संख्या $N$ को अनुकूलित करते हैं। कम घर्षण वाला इंस्टॉलेशन यह सुनिश्चित करता है कि स्प्रिंग विस्थापन में छोटे बदलावों पर तुरंत प्रतिक्रिया करता है।